YTE608采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部,芯片内部最小Toof时间固定为32uS且带而设计的有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计轻重负载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。YTE608集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、过热保护、过载保护和短路保护等。

产品概述 主要特点 

‹集成500V高压MOSFET和高压启动电路

‹高精度5V默认输出

‹集成采样电阻,超低系统成本 

‹支持降压与升压电路

‹支持超低电压输入（15V以上）应用

‹开关峰值电流模式控制

‹超低待机功耗小于50mW

‹超低工作电流，支持小VDD电容

‹集成电软启动电路

‹内置过热保护电路(OTP)

‹过载保护(OLP)

‹逐周期电流限制(OCP)

‹异常过流保护(AOCP)

‹VDD欠压保护

‹前沿消隐(LEB)

应用 ‹

消防应急灯具专用芯片