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| 产品型号 | MOC3063S-TA1 | | 品牌 | LITEON光宝 | | 封装 | SOP6 | | 价格 | 电询 | | 描述 | 光电耦合器小体积贴片 | | 查看资料 | MOC3063S-TA1 | |
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产品说明
属性 参数值 商品目录 光电可控硅 LED触发电流(Ift) (Max) 5mA 通态电流(It (RMS)) (Max) - 过零检测电路 Yes 断态电压 600V 隔离电压 5000Vrms 单元组数 1 输出类型 Triac 查看类似商品 输出类型:Triac过零电路:是通道数:1电压 - 隔离:5000Vrms电压 - 断态:600V静态 dV/dt(最小值):1kV/μs电流 - LED 触发器(Ift)(最大值):5mA电流 - 保持(Ih):400μA(标准)电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V电流 - DC 正向(If):50mA工作温度:-40°C ~ 100°C安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD,鸥翼型供应商器件封装:6-SMD认可:CSA,FIMKO,UL
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| 下一页 尾页 页码:1/10 | | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | | WGF10N50SE | WG | TO-220F | 高压MOS场效应管10A500V |  |  |  | | | WGA40N50SE | WG | TO-247 | 高压MOS场效应管40A500V |  |  |  | | | DMN601WK-7 | DIODES | SOT-23 | N沟道场效应管MOSFET耐压:60V 电流:300mA |  |  |  | | | AQV259A | Panasonic/松下 | SOP-6 | 固态继电器(MOS输出) |  |  |  | | | SVF8N60F | Silan | TO-220F-3L | N沟道平面高压MOS 8A 600V |  |  |  | | | 2SK1317 | RENESAS | TO-3P | N沟道场效应管MOSFET,2.5A,1500V |  |  |  | | | STFW3N150 | ST | TO-3PF | N沟道场效应管MOSFET,3A,1500V,9Ω@10V |  |  |  | | | STW3N150 | ST | TO-247 | N沟道场效应管MOSFET,3A,1500V,9Ω@10V |  |  |  | | | CDCV304PWR | TI | TSSOP-8 | PCI-X 1:4 LVCMOS 时钟缓冲器 |  |  |  | | | ET4626 | ET | SOP-8 | 互补型高密度沟槽MOSFET (30V、6A;-30V、-5A) |  |  |  | | | IR2136S | IR/Infineon | SOP28 | 高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器 |  |  |  | | | ADG1409YRUZ-REEL7 | ADI亚德诺 | TSSOP-16 | 单片iCMOS模拟多路复用器 |  |  |  | | | RU1H180R | Ruichip | TO-220 | N沟道高功率MOSFET场效应管100V180A |  |  |  | | | RUH1H80R | Ruichip | TO-220 | N沟道高功率MOSFET场效应管100V80A完全与IRL2910兼容 |  |  |  | | | IPP110N20N3G | Infineon | TO-220 | 88A200V N沟道场效应管(MOSFET) |  |  |  | | | MOC3022S-TA1 | LITEON光宝 | SOP-6黑色 | 光电耦合器 |  |  |  | | | MOC3022 | LiteOn | DIP-6黑色 | 光电耦合器 |  |  |  | | | IPT015N10N5 | Infineon | PG-HSOF-8 | N沟道场效应管MOSFET,100V,300A,1.3mΩ@10V |  |  |  | | | ULN2803LQ | SYTAtek | QFN4x4-20 | 步进电机驱动八通道 2.0-7.0V 持续电流 500mA NMOS 驱动器 |  |  |  | | | ULN2803LS | SYTAtek | SSOP24 | 步进电机驱动八通道 2.0-7.0V 持续电流 500mA NMOS 驱动器 |  |  |  | |
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