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| 产品型号 | ET4626 | | 品牌 | ET | | 封装 | SOP-8 | | 价格 | 电询 | | 描述 | 互补型高密度沟槽MOSFET （30V、6A；-30V、-5A） | | 查看资料 | ET4626 | |
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产品说明
Complementary High-Density Trench MOSFET(30V,6A/-30V,-5A)互补型高密度沟槽MOSFET （30V、6A；-30V、-5A）
PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)
VDSS ID RDS(on) (mΩ) Typ. VDSS ID RDS(on) (mΩ) Typ.
30V 6 A
22@ VGS = 10V, ID=6A
-30V -5A
33@ VGS = 10V, ID=5A
34@ VGS = 4.5V, ID=4.6A 56@ VGS = 4.5V, ID=4A
Features
Super high density cell design for
extremely low RDS(ON)
2*N+2*P Channels in an SOP-8L
Package
Lead（Pb）-free and halogen-free
Applications
Motor control and drive
Audio Outputs
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| 下一页 尾页 页码：1/10 | | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | | UCC28950 | TI | TSSOP14 | 交流/直流和直流/直流控制器（外部 FET） |  |  |  | | | UCC28950QPWRQ1 | TI | TSSOP-24 | 交流/直流和直流/直流控制器（外部 FET） | | | | | | DMN601WK-7 | DIODES | SOT-23 | N沟道场效应管MOSFET耐压:60V 电流:300mA | | | | | | 2SK1317 | RENESAS | TO-3P | N沟道场效应管MOSFET,2.5A,1500V | | | | | | STFW3N150 | ST | TO-3PF | N沟道场效应管MOSFET,3A,1500V,9Ω@10V | | | | | | STW3N150 | ST | TO-247 | N沟道场效应管MOSFET,3A,1500V,9Ω@10V | | | | | | ET4626 | ET | SOP-8 | 互补型高密度沟槽MOSFET （30V、6A；-30V、-5A） | | | | | | IR2136S | IR/Infineon | SOP28 | 高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器 | | | | | | LM43603PWPR | TI | TSSOP-16 | AC/DC 和 DC/DC 转换器（集成 FET） | | | | | | RU1H180R | Ruichip | TO-220 | N沟道高功率MOSFET场效应管100V180A | | | | | | RUH1H80R | Ruichip | TO-220 | N沟道高功率MOSFET场效应管100V80A完全与IRL2910兼容 | | | | | | IPP110N20N3G | Infineon | TO-220 | 88A200V N沟道场效应管(MOSFET) | | | | | | IPT015N10N5 | Infineon | PG-HSOF-8 | N沟道场效应管MOSFET,100V,300A,1.3mΩ@10V | | | | | | STM32F407ZET6 | ST | LQFP-144 | 32位 ARM微控制器MCU | | | | | | STW48N60DM2 | ST | TO-247 | N沟道场效应管MOSFET 耐压:600V 电流:40A | | | | | | UTT15P06G-TN3-R | UTC | TO-252 | 沟槽型MOSFET | | | | | | UTT100N08MG-P5060-R | UTC | PDFN5x6 | 沟槽型MOSFET | | | | | | UTD351G-AE3-R | UTC | SOT-23 | 沟槽型功率MOSFET | | | | | | UT9435G-AE3-R | UTC | SOT-23 | 沟槽型功率MOSFET | | | | | | UT5N06G-AE3-R | UTC | SOT-23 | 沟槽型MOSFET | | | | |
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