IRFR9024N IR/infineon P沟道场效应管8.8A55V

你好，欢迎您咨询订购！	联系电话☎：0755-88601081

-55V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装

优势

符合 RoHS

低 RDS(on)

具有业内先进的品质

动态的dv/dt额定值

快速开关

完全雪崩额定值

175°C 的工作温度

P 通道MOSFET

指标参数

Parametrics IRFR9024N

ID (@25°C) max -11.0 A ; -11.0 A

Moisture Sensitivity Level 1

Mounting SMD

Ptot max 38.0 W

Package DPAK (TO-252)

Polarity P

QG (typ @10V) 12.7 nC ; 12.7 nC

Qgd 6.7 nC

RDS (on) (@10V) max 175.0 mΩ ; 175.0 mΩ

RthJC max 3.3 K/W

Tj max 150.0 °C

VDS max -55.0 V

VGS(th) min max -3.0 V -2.0 V -4.0 V ; -3.0 V -2.0 V -4.0 V

VGS max 20.0 V

下一页尾页页码：1/10
产品型号	厂商	封装	简要描述	图片	资料	订购
IR2136STRPBF	IR/INFINEON	SOP-28	三相桥驱动电路

IR2136S	IR/Infineon	SOP28	高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器

RUH1H80R	Ruichip	TO-220	N沟道高功率MOSFET场效应管100V80A完全与IRL2910兼容

IRF540NPBF	Infineon	TO-220AB	100V,44mO,33A,140W N沟道场效应管

IRF540NPBF	IR/Infineon	TO-220	N沟道场效应管100V,44mO,33A,140W

IRG4PH50UDPBF	IR	TO-247	IGBT管24A1200V

IRLR2705TRPBF	IR	TO-252	N沟道场效应管28A 55V

IRLR2705TR	IR	TO-252	N沟道场效应管28A 55V

IRFR5305	IR	TO-252	P沟道场效应管耐压:55V 电流:31A

IRFR5305TR	IR	TO-252	P沟道场效应管耐压:55V 电流:31A

IRFR5305TRPBF	IR	TO-252	P沟道场效应管耐压:55V 电流:31A

IRF3710STRL	Infineon/IR	TO-263	N沟道场效应管57A100V

IRF3710STRL	Infineon/IR	TO-263	N沟道场效应管57A100V

IRF3710STRLPBF	IR	TO-263	100V,23mO,57A,200W N沟道场效应管

PT334-6B(IR333C-A)	EVERLIGHT	DIP-2	红外光电接收管

AP1511B	UWM	SOT-23-6	IR-Cut Removable (ICR)专用驱动IC

IRF740PBF	VISHAY	TO-220	N沟道场效应管10A 400V

IRGP35B60PDPBF	IR	TO-247	IGBT管600V,35A,308W

IRFR3607TRPBF	Infineon	TO-252	56A 75V N沟道场效应管MOSFET

IRLB3034PBF	IR	TO-220	N沟道场效应管343A40V

元件索引: A - B - C - D - E - F - G - H - I - J - K - L - M - N - O - P - Q - R - S - T - U - V - W - X - Y - Z

电话TEL(传真FAX)：0755-88601081，邮件Email：icdemi@163.com，