商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 75V
连续漏极电流(Id) 56A
功率(Pd) 140W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 9mΩ@10V,46A
阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 84nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 3.07nF@50V
工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)
查看类似商品FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：56A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3070pF @ 50V
功率 - 最大值：140W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak
粤公网安备 44030402002389号