IRFP150N描述：来自国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，可实现每硅面积的极低导通电阻。 这种优点与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。 TO-247封装是商业工业应用的首选，在商业应用中，较高的功率水平导致无法使用TO-220器件。 TO-247与之相似，但由于其隔离的安装孔而优于早期的TO-218封装。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 39 A

Rds On-漏源导通电阻: 36 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Qg-栅极电荷: 110 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 140 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

配置: Single

高度: 20.7 mm

长度: 15.87 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.31 mm

商标: Infineon / IR

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 400