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产品型号 | WGD30P03 | 品牌 | WG | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | 30A 30V P沟道场效应管MOSFET | 查看资料 | WGD30P03 | |
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产品说明
30V P沟道MOSFET
特点:
□ 低固有电容。
□ 出色的开关特性。
□ 扩展的安全操作区域。
□ 无与伦比的栅极电荷:Qg=41nC(典型值)。
□ BVDSS=-30V,ID=-30A
□ RDS(开):17米Ω VG=-10V时的(最大值)
□ 100%雪崩测试
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