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| 型号 MMG300K120U6HN | | 型号 MMG300K120U6HN | | 型号 RN8209E | | 型号 STC8H1K08-36I-TSSOP20 | | 型号 SCM1316AFA | | 型号 TEA2016AAT/1/S30Y | | 型号 GC7139CF | | 型号 MPMC150B120RH |
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产品型号 | HY3403D | 品牌 | HOOYI | 封装 | TO-252 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道MOSFET 100A 30V | 查看资料 | HY3403D | |
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产品说明
描述: 该N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的RDS(on)和低栅极电荷。 它可用于各种应用。
特征: 1)VDS = 30V,ID = 100A,RDS(ON)<8.5mΩ@VGS=10V 2)低栅极电荷。 3)绿色设备可用。 4)用于超RDS(ON)的先进高细胞密度沟槽技术。 5)优良的封装,散热好。
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