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型号
FW705-TL-E
型号
IRFB4115PBF
型号
ZVP3310FTA
型号
IRFB4115
型号
TD551S485HS
型号
TDA51S485HC
型号
IFX007TAUMA1
型号
XL1509-12E1
 
FW705-TL-E
产品型号FW705-TL-E
品牌SANYO/三洋
封装SOP-8
价格电询
描述P沟道场效应管6A20V
查看资料FW705-TL-E

产品说明


商品特性

单封装内集成由2.5V电源电压驱动的P沟道MOSFET的复合类型。高密度贴装。漏源电压(Vdss)
20V连续漏极电流(Id)6A耗散功率(Pd)2.3W属性 参数值



属性 参数值



数量 1个P沟道


漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流(Id) 6A

耗散功率(Pd) 2.3W

阈值电压(Vgs(th)) 1.4V

输入电容(Ciss) 1.72nF

反向传输电容(Crss) 245pF

工作温度 -55℃~+150℃




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产品型号厂商封装简要描述图片资料订购
FW705-TL-ESANYO/三洋SOP-8P沟道场效应管6A20VFW705-TL-E
STFW3N150STTO-3PFN沟道场效应管MOSFET,3A,1500V,9Ω@10VSTFW3N150STFW3N150
MT53E1G32D2FW-046AIT:ATRMICRON镁光SMD热销全新原装正品电子芯片MT53E1G32D2FW-046AIT:ATRMT53E1G32D2FW-046AIT:ATR
MT53E1G32D2FW-046AAT:BTRMICRON镁光SMD热销全新原装正品电子芯片MT53E1G32D2FW-046AAT:BTRMT53E1G32D2FW-046AAT:BTR
MT53E1G32D2FW-046WT:AMICRONSMD热销全新原装正品电子芯片MT53E1G32D2FW-046WT:AMT53E1G32D2FW-046WT:A
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LTC1852CFW#PBFADI亚德诺48-TSSOP8通道、10位、400ksps、低功率、采样ADCLTC1852CFW#PBFLTC1852CFW#PBF
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WFW24N60WISDOMTO-3PN沟道场效应管WFW24N60
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