制造商: NXP
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 1 A
增益带宽产品fT: 100 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
商标: NXP Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min: 25 at 5 mA at 2 V
Pd-功率耗散: 2000 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors