RE200B特点：
封装 TO-5
基片材料 硅
RE200B尺寸参数：
灵敏元面积 2.0mm ×1.0mm ×Gap 1.0mm Dual,双元
基片厚度 0.5mm
窗口尺寸 4×3mm
RE200B基本特性：
工作波长 5-14μm
平均透过率 ＞75%
输出信号 >2.2V (420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz带宽72.5db增益)
灵敏度 3300V/W
探测率(D*) 1.5×108 cmHz1/2/W
噪声(Vp-p)＜200mV (mVp-p) (25℃)
平衡度 ＜20%
RE200B电气参数：
工作电压 3-10V
工作电流 8.5-24μA(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
源极电压 0.4-1.1V(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
RE200B环境条件：
工作温度 -20℃- +70℃
保存温度 -35℃- +80℃
视场 中心角138°×125°