概述
该产品采用 H 桥电路结构设计，内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。
电路内部集成过温保护，当电路内部温度超过设定值时 (典型值 150℃)，关断负载电流。当电路的结温下降到预设温度(典型值 130℃)时，电路返回正常工作状态；但电路不具有短路保护功能，当输出对地短路、输出对电源短路、输出端短路时易导致电路损坏，使用时应避免发生短路，或者加入限流措施避免发生类似损坏。
逻辑控制电源 VCC 与功率电源 VDD 内部完全独立，实际使用中应分开布线，禁止将 VCC 与 VDD直接接到一起，以防止 VDD 高压对电路 VCC 端造成损伤。
特性 低待机电流 (小于 0.1uA)
工作电压范围：2V-8.6V 最大持续输出电流：1.4A(VDD=6.5V)
最大峰值输出电流：3A(VDD=6.5V)
低导通内阻
— 1400 毫安输出电流时，内阻 0.35 欧姆
— 200 毫安输出电流时，内阻 0.3 欧姆
较小的输入电流
— 逻辑输入 INA\INB 集成 15K 对地下拉电阻
内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)
抗静电等级：4KV (HBM)
应用范围
2-4 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动
2-5 节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱
动 2 节锂电池供电的马达驱动
粤公网安备 44030402002389号